Co nas wyróżnia ?

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

Team Group DDR4 - 64GB - 3200 - CL - 16 T-Create Expert Kolor: CZARNY Dual Kit

Team Group DDR4 - 64GB - 3200 - CL - 16 T-Create Expert Kolor: CZARNY Dual Kit główny
1456546-241119231120
Team Group
Opinie
707.21 zł
brutto za 1 szt
towar dostępny
Ilość:
<
od 8.99
około wt. 26.11 - czw. 28.11 u Ciebie
Oblicz ratę

Dane główne

1456546-241119231120
Team Group
TTCED464G3200HC16FDC01
0765441658684, 765441658684
od 8.99
2024-11-20
Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i
nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

Typ produktu: SDRAM DDR4
Czarny kolor
EAN: 0765441658684
Kod producenta: TTCED464G3200HC16FDC01
Seria: T-CREATE EXPERT
Pojemność: 64 GB (2 x 32 GB)
Ilość: 2 sztuki
Projekt: DIMM
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,35 V (od 1,3 do 1,4 V)
Domyślnie: DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny: 1600 MHz
Czas: 16
: 20
: 20
: 40
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.

Typ produktu: SDRAM DDR4
Czarny kolor
EAN: 0765441658684
Kod producenta: TTCED464G3200HC16FDC01
Seria: T-CREATE EXPERT
Pojemność: 64 GB (2 x 32 GB)
Ilość: 2 sztuki
Projekt: DIMM
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,35 V (od 1,3 do 1,4 V)
Domyślnie: DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny: 1600 MHz
Czas: 16
: 20
: 20
: 40
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.