Co nas wyróżnia ?

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

Mushkin SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 (2x 16 GB) Dual-Kit

1300966-241220230426
MUSHKIN
Opinie
295.00 zł
brutto za 1 szt
towar dostępny
Ilość:
<
od 0
Darmowa wysyłka - szcegóły po dodaniu do koszyka
około wt. 24.12 - czw. 26.12 u Ciebie
Oblicz ratę

Dane główne

1300966-241220230426
MUSHKIN
MRA4S320NNNF16GX2
0846651029942, 846651029942
od 0
Darmowa wysyłka - szcegóły po dodaniu do koszyka
2024-12-21
Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i
nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

Typ produktu: SDRAM DDR4
Czarny kolor
EAN: 0846651029942
Kod producenta: MRA4S320NNNF16GX2
Seria: Czerwona linia
Pojemność: 32 GB (2 x 16 GB)
Ilość: 2 sztuki
Projekt: SO-DIMM
Złącze: 260 pin
Napięcie: 1,2 wolta
Domyślnie: DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny: 1600 MHz
Czas: 22
: 22
: 22
: 52
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.

Typ produktu: SDRAM DDR4
Czarny kolor
EAN: 0846651029942
Kod producenta: MRA4S320NNNF16GX2
Seria: Czerwona linia
Pojemność: 32 GB (2 x 16 GB)
Ilość: 2 sztuki
Projekt: SO-DIMM
Złącze: 260 pin
Napięcie: 1,2 wolta
Domyślnie: DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny: 1600 MHz
Czas: 22
: 22
: 22
: 52
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.