Co nas wyróżnia ?

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

Mushkin DDR4 - 64 GB -2933 - CL - 21 - Dual Kit, Essentials (MES4U293MF32GX2)

1300954-241105050105
MUSHKIN
Opinie
549.91 zł
brutto za 1 szt
towar dostępny
Ilość:
<
od 8.99
około pt. 08.11 - wt. 12.11 u Ciebie
Oblicz ratę

Dane główne

1300954-241105050105
MUSHKIN
MES4U293MF32GX2
0846651028983, 846651028983
od 8.99
2024-11-05
Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i
nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

Typ produktu: SDRAM DDR4
EAN: 0846651028983
Kod producenta: MES4U293MF32GX2
Seria: Niezbędne
Pojemność: 64 GB (2 x 32 GB)
Ilość: 2 sztuki
Projekt: DIMM
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,2 wolta
Standardowo: DDR4-2933 (PC4-23400)
Zegar fizyczny: 1467 MHz
Czas: 21
: 21
: 21
: 47
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.

Typ produktu: SDRAM DDR4
EAN: 0846651028983
Kod producenta: MES4U293MF32GX2
Seria: Niezbędne
Pojemność: 64 GB (2 x 32 GB)
Ilość: 2 sztuki
Projekt: DIMM
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,2 wolta
Standardowo: DDR4-2933 (PC4-23400)
Zegar fizyczny: 1467 MHz
Czas: 21
: 21
: 21
: 47
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.