Co nas wyróżnia ?

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

Mushkin - DDR4 - 32 GB - 2666 - CL - 19 - Single ECC/REG 2Rx4

Mushkin - DDR4 - 32 GB - 2666 - CL - 19 - Single ECC/REG 2Rx4 główny
1300943-241119231120
MUSHKIN
Opinie
335.73 zł
brutto za 1 szt
towar dostępny
Ilość:
<
od 0
Darmowa wysyłka - szcegóły po dodaniu do koszyka
około wt. 26.11 - czw. 28.11 u Ciebie
Oblicz ratę

Dane główne

1300943-241119231120
MUSHKIN
MPL4R266KF32G24
0846651027382, 846651027382
od 0
Darmowa wysyłka - szcegóły po dodaniu do koszyka
2024-11-21
Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i
nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

Typ produktu: SDRAM DDR4
EAN: 0846651027382
Kod producenta: MPL4R266KF32G24
Seria: Proline
Pojemność: 32 GB
Ilość: 1 sztuka
Projekt: DIMM
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,2 wolta
Standardowo: DDR4-2666 (PC4-21300)
Zegar fizyczny: 1333 MHz
Czas: 19
: 19
: 19
: 43
Funkcja: ECC, zarejestrowana
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.

Typ produktu: SDRAM DDR4
EAN: 0846651027382
Kod producenta: MPL4R266KF32G24
Seria: Proline
Pojemność: 32 GB
Ilość: 1 sztuka
Projekt: DIMM
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,2 wolta
Standardowo: DDR4-2666 (PC4-21300)
Zegar fizyczny: 1333 MHz
Czas: 19
: 19
: 19
: 43
Funkcja: ECC, zarejestrowana
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.