Co nas wyróżnia ?

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

Mushkin DDR4 - 16 GB - 2400 - CL - 17 ECC/REG 2Rx4 - Single - MPL4R240HF16G24

Mushkin DDR4 - 16 GB - 2400 - CL - 17 ECC/REG 2Rx4 - Single - MPL4R240HF16G24 główny
1300963-241105050105
MUSHKIN
Opinie
206.63 zł
brutto za 1 szt
towar dostępny
Ilość:
<
od 10.99
około pt. 08.11 - wt. 12.11 u Ciebie
Oblicz ratę

Dane główne

1300963-241105050105
MUSHKIN
MPL4R240HF16G24
0846651027528, 846651027528
od 10.99
2024-11-05
Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i
nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

Typ produktu: SDRAM DDR4
EAN: 0846651027528
Kod producenta: MPL4R240HF16G24
Seria: Proline
Pojemność: 16 GB
Ilość: 1 sztuka
Projekt: DIMM
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,2 wolta
Domyślnie: DDR4-2400 (PC4-19200)
Zegar fizyczny: 1200 MHz
Czas: 17
: 17
: 17
: 39
Funkcja: ECC, zarejestrowana
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.

Typ produktu: SDRAM DDR4
EAN: 0846651027528
Kod producenta: MPL4R240HF16G24
Seria: Proline
Pojemność: 16 GB
Ilość: 1 sztuka
Projekt: DIMM
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,2 wolta
Domyślnie: DDR4-2400 (PC4-19200)
Zegar fizyczny: 1200 MHz
Czas: 17
: 17
: 17
: 39
Funkcja: ECC, zarejestrowana
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.