![G.Skill DDR4 - 32GB - 4800 - CL - 20 TZ Royal Elite S Dual Kit - F4-4800C20D-32GTES główny](https://zdjecia.gigadeal.pl/nopic7.jpg)
![G.Skill DDR4 - 32GB - 4800 - CL - 20 TZ Royal Elite S Dual Kit - F4-4800C20D-32GTES główny](https://zdjecia.gigadeal.pl/nopic7.jpg)
połączenie HTTPS
szybkie płatności PAYU, BLUE MEDIA
płatności kartą VISA, MASTERCARD
tysiące produktów z darmowym transportem!
każdy konsument ma 14 dni na rozmyślenie się z zakupu!
Masz pytania?
Nie szukaj dalej, skontaktuj się lub prześlij zapytanie tutaj.
Regulamin
Typ produktu: SDRAM DDR4
Srebro
Kod producenta: F4-4800C20D-32GTES
Seria: Trident Z Royal Elite
Pojemność: 32 GB (2 x 16 GB)
Ilość: 2 sztuki
Projekt: DIMM
Odpowiedni kanał: podwójny kanał
Profile: XMP (wersja 2.0)
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,55 V (od 1,2 do 1,55 V)
Domyślnie: DDR4-4800 (PC4-38400)
Zegar fizyczny: 2400 MHz
Czas: 20
: 30
: 30
: 50
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.
Typ produktu: SDRAM DDR4
Srebro
Kod producenta: F4-4800C20D-32GTES
Seria: Trident Z Royal Elite
Pojemność: 32 GB (2 x 16 GB)
Ilość: 2 sztuki
Projekt: DIMM
Odpowiedni kanał: podwójny kanał
Profile: XMP (wersja 2.0)
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,55 V (od 1,2 do 1,55 V)
Domyślnie: DDR4-4800 (PC4-38400)
Zegar fizyczny: 2400 MHz
Czas: 20
: 30
: 30
: 50
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.
Regulamin