Co nas wyróżnia ?

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

G.Skill DDR3 8GB 1600-11 NT Dual

614565-241122231433
G.SKILL
Opinie
95.41 zł
brutto za 1 szt
towar dostępny
Ilość:
<
od 8.99
około śr. 27.11 - pt. 29.11 u Ciebie
Oblicz ratę

Dane główne

614565-241122231433
G.SKILL
F3-1600C11D-8GNT
4711148599542
od 8.99
2024-11-22
Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i
nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

G.Skill to marka założona przez entuzjastów sprzętu komputerowego w 1989 roku, która specjalizuje się w wypuszczaniu na rynki światowe wydajnych pamięci RAM oraz szybkich dysków SSD. Producent ten jest znany z dużego działu Research & Development, dzięki czemu ich pamięci są bardzo znane z wysokiej bezawaryjności i dobrej współpracy nawet na najwyższych obrotach w bardziej zaawansowanych trybach.

Dane techniczne:
Nazwa produktu: G.Skill 8GB DDR3 - 1600 MHz NT
Kod EAN: 4711148599542
Kod producenta: F3-1600C11D-8GNT
Seria NT
Pojemność razem 8 GB
Moduły Ilość kości 2 sztuki
Format DIMM
Gwarancja producenta: dożywotnia
Typ pamięci DDR3
Standard DDR3-1600 (PC3-12800)
Timings
Latencja (CL) 11
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 11
RAS-Precharge-Time (tRP) 11
Row-Active-Time (tRAS) 28
EMP Tak
Napięcie 1.5 V
Pamięć
Obsługa kanałów pamięci Dual
Profil SPD Tak


G.Skill to marka założona przez entuzjastów sprzętu komputerowego w 1989 roku, która specjalizuje się w wypuszczaniu na rynki światowe wydajnych pamięci RAM oraz szybkich dysków SSD. Producent ten jest znany z dużego działu Research & Development, dzięki czemu ich pamięci są bardzo znane z wysokiej bezawaryjności i dobrej współpracy nawet na najwyższych obrotach w bardziej zaawansowanych trybach.

Dane techniczne:
Nazwa produktu: G.Skill 8GB DDR3 - 1600 MHz NT
Kod EAN: 4711148599542
Kod producenta: F3-1600C11D-8GNT
Seria NT
Pojemność razem 8 GB
Moduły Ilość kości 2 sztuki
Format DIMM
Gwarancja producenta: dożywotnia
Typ pamięci DDR3
Standard DDR3-1600 (PC3-12800)
Timings
Latencja (CL) 11
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 11
RAS-Precharge-Time (tRP) 11
Row-Active-Time (tRAS) 28
EMP Tak
Napięcie 1.5 V
Pamięć
Obsługa kanałów pamięci Dual
Profil SPD Tak