Co nas wyróżnia ?

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

CORSAIR VENGEANCE DDR4 32GB 2x16GB 3200MHz SODIMM Unbuffered 22-22-22-53 Black PCB 1.2V

1317075-241122231433
CORSAIR
Opinie
300.61 zł
brutto za 1 szt
towar dostępny
Ilość:
<
od 8.99
około pt. 29.11 - śr. 04.12 u Ciebie
Oblicz ratę

Dane główne

1317075-241122231433
CORSAIR
CMSX32GX4M1A3200C22
0840006663591, 840006663591
od 8.99
2024-11-22
Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i
nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 , pamięć
Corsair CMSX32GX4M1A3200C22 to 32 GB pamięci DDR4-3200 (PC4-25600) z serii Vengeance. SO-DIMM obsługuje taktowanie 22-22-22-53 przy 3200 MHz i wymaga napięcia 1,2 wolta.
Typ: SDRAM DDR4
Czarny kolor
EAN: 0840006663591
Kod producenta: CMSX32GX4M1A3200C22
Seria: Zemsta
Pojemność: 32 GB
Ilość: 1 sztuka
Projekt: SO-DIMM
Złącze: 260 pin
Napięcie: 1,2 wolta
Domyślnie: DDR4-3200 (PC4-25600)
Czasy: Opóźnienie CAS (CL) | 22
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.

SO-DIMM 32 GB DDR4-3200 , pamięć
Corsair CMSX32GX4M1A3200C22 to 32 GB pamięci DDR4-3200 (PC4-25600) z serii Vengeance. SO-DIMM obsługuje taktowanie 22-22-22-53 przy 3200 MHz i wymaga napięcia 1,2 wolta.
Typ: SDRAM DDR4
Czarny kolor
EAN: 0840006663591
Kod producenta: CMSX32GX4M1A3200C22
Seria: Zemsta
Pojemność: 32 GB
Ilość: 1 sztuka
Projekt: SO-DIMM
Złącze: 260 pin
Napięcie: 1,2 wolta
Domyślnie: DDR4-3200 (PC4-25600)
Czasy: Opóźnienie CAS (CL) | 22
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.